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标题: 骁龙835基于三星10nm FinFET工艺打造，将采用42.45GHz大核+41.9GHz共8核心设计， [打印本页]

作者: gengxiu 时间: 2017-4-11 15:06
标题: 骁龙835基于三星10nm FinFET工艺打造，将采用42.45GHz大核+41.9GHz共8核心设计，
骁龙835基于三星10nm FinFET工艺打造，将采用42.45GHz大核+41.9GHz共8核心设计，均为自主Kryo 280架构。GPU为Adreno 540，支持4K屏、UFS 2.1、四通道LPDDR4x内存，整合了Cat.16基带。支持Quick Charge 4.0快速充电技术。

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