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标题: 骁龙835比起821提升了哪些？ [打印本页]

作者: 冷贞静 时间: 2017-1-17 12:33
标题: 骁龙835比起821提升了哪些？
骁龙835比起821提升了哪些？

作者: zdf4110 时间: 2017-1-17 12:33
采用了更先进的制程工艺，是半导体最新的10nm制程工艺，而821还是14nm制程。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。

　　此外，它还拥有更强的CPU，据悉将采用八核心设计，弥补了骁龙820CPU多线程弱的缺点。而在GPU方面，上一代骁龙821搭载了Adreno 530GPU，就目前而言性能上仅次于苹果A10的GPU，而新一代骁龙835想必也会搭载性能更为出色的GPU，以满足VR时代对于手机图形处理器的高要求。

　　预计还会采用Vulkan这个全新的图形API，虽然在高通骁龙820/821已经体现了Vulkan这一革命性的API，但显然还不够完善，毕竟这对GPU的性能也有一定的要求，而骁龙835升级了CPU以及GPU后，在次看来能够更为全面的发挥出应有的性能表现。

　　除了性能配置上的提升，它还将带给我们更快的充电速度，高通同步发布新一代 QC4.0 快速充电技术。相比 QC 3.0 充电速度提升 20%，并支持 Type-C。能够实现“充电 5 分钟，通话五小时”。大约 15 分钟内，可冲入 50% 的电量。另外，QC4.0 有更好的电源管理系统，能够有效降低充电造成的电池损耗。

　　在基带方面，高通骁龙也曾透露下一代产品的基带将会采用下行速率高达1Gbps的X16基带，相比于821的X12简直提升了太多，但是目前还不确定会不会将此技术应用于手机厂商，让手机用户也能享受到1Gbps的下载速率，但是至少可以肯定的是，他们已经拥有了更先进的基带技术。

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