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标题: 首发10nm FinFET工艺？联发科曦力X30十核处理器曝光 [打印本页]

作者: 威化饼 时间: 2016-3-29 16:25
标题: 首发10nm FinFET工艺？联发科曦力X30十核处理器曝光
首发10nm FinFET工艺？联发科曦力Helio X30十核处理器曝光

3月29日消息，微博网友@Black_黑数码爆光了联发科技下一代旗舰SoC产品曦力X30的相关信息，据了解联发科曦力Helio X30将采用台积电10nm FinFET工艺，与Helio X20相同的三丛十核心设计，并再次搭配Imagination PowerVR系列GPU，据称会是最快量产的10nm芯片。

该网友称，曦力X30的三丛十核心为双核心2.8GHz A7x+四核心2.2GHz A53+四核心2GHz A53设计，其中A7x为ARM尚未发布的，代号名为Artemis是CPU架构设计。而GPU则可能采用定制版7系列四核心的PVR。曦力X30同时还支持2600万像素相机、双摄像头，搭配了支持LTE Cat.13的全网通基带。该网友称ARM的新架构相比目前最新的A72的同频率性能能够提升20%，功耗却降低一半。

另外，在对这条微博随后的补充之中，该网友还表示苹果下代处理器A10将会采用16nm FinFET+，所以使得联发科曦力X30可能能够拿下10nm以及ARM新内核的双重首发。

最后，该名爆料人还透露称曦力X30的Geekbench单核心跑分数至少会达到2500分，芯片组原生可能支持最大18W的快速充电，搭配的基带芯片原生支持LTE双待机，也就是插入的两张SIM卡可以同时在4G网络下工作。[attach]772787[/attach]

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