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标题: 关于“旗舰P660”外壳内静电设计上的细节讨论 [打印本页]
作者: Swimyz    时间: 2009-5-30 21:22
标题: 关于“旗舰P660”外壳内静电设计上的细节讨论
有仔细的坛友在看旗舰P660拆机篇时看到一个关于静电的图片解释中有些疑问，这里我们摆出来大家讨论下。# w  N6 h0 W/ j
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下壳图，右上为射频天线触点，左下为接地触点，连接主板上的屏蔽罩，仿静电处理细节还是有的。
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# E# G2 @/ L9 X6 H1 E) @这里的设计应该可以称为“机壳地”，虽然是塑料壳，也是会带静电的，包括外界，以及塑料的摩擦起电，把所有的壳上的静电都汇聚到这个位置，然后传导到主板上的屏蔽罩上，也就是到地。 你可以把它想象为一个避雷针。0 N# t1 z. l7 {/ l+ D2 C' g6 D

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/ a* b- c) Y7 j" g有否不同意见的专家也解释下，毕竟我不是做硬件的：）



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